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崔艺馨; 马英起; 上官士鹏; 康玄武; 刘鹏程; 韩建伟;
空间天气学国家重点实验室;
中国科学院大学天文与空间科学学院;
中国科学院微电子研究所;
氮化镓功率器件; 飞秒脉冲激光; 单粒子烧毁效应; 等效LET值;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:SiC功率器件对宇宙射线中子单事件烧毁的可靠性
机译:保留p-GaN效应以关断p-GaN栅极功率器件中的能量损耗( E italic> off sub>)
机译:功率常关AlGaN / GaN HEMT中单事件烧毁的仿真研究
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:Wigner monte Carlo模拟单和双屏障器件中的散射和空间电荷效应
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:用于在诸如功率半导体器件之类的器件内模拟分布效应的方法
机译:模拟功率半导体器件等器件内部分布效应的方法
机译:制备单分散粒子的方法,使用该方法制备的单分散粒子以及使用单分散粒子的可调谐光子晶体器件
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