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郭建飞; 李浩; 王梓名; 钟鸣浩; 常帅军; 欧树基; 马海伦; 刘莉;
西安电子科技大学广州研究院;
西安电子科技大学微电子学院;
4H-SIC; 双沟槽; MOSFET; 单脉冲雪崩击穿能量; 失效机理; 栅极沟槽拐角氧化层断裂;
机译:4H-SiC MOSFET非钳位电感开关测试期间最高结温的研究
机译:非钳位电感开关测试环境下SiC MOSFET功率模块的评估
机译:非钳位感性负载条件下功率MOSFET切换的动力学
机译:1.2kV 4H-SiC MOSFET在反复非钳位感性开关应力作用下的退化与优化研究
机译:非钳位感性负载条件下IGBT关断故障的综合研究
机译:使用两种不同的部分肾切除术评估术后肾损失的比较研究:非钳位术与标准钳位术
机译:重复的非钳位电感开关对低压沟槽功率nMOSFET的电学参数的影响
机译:4H-sIC垂直D-mosfet的脉冲功率开关及器件表征
机译:具有改善的非钳位电感开关性能的功率沟槽MOSFET及其制备方法
机译:具有改善的非钳位电感开关(uis)性能的功率沟道MOSFET及其制备方法
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