高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT

摘要

采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide,HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched,BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)像素阵列.利用N_(2)O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N_(2)O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N_(2)O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.