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孙海明;
湖南师范大学物理与电子科学学院;
Bi(111)双原子层; Rashba效应; 拓扑性质; 自旋-轨道耦合;
机译:勘误:Bi-2Te-3(111)衬底上生长的超薄Bi(III)薄膜的原子和电子结构:应变诱导的拓扑相变的证据。牧师109,227401(2012)]
机译:Bi_2Te_3(111)衬底上生长的超薄Bi(III)薄膜的原子和电子结构:应变诱导的拓扑相变的证据。
机译:Al_(2)O_(3)(0001)上的化学计量和非化学计量超薄Fe_(3)O_(4)(111)薄膜的磁性能
机译:ThermoElectirc和Bi_(1-x)TE_的结构性质(CDTE上的1 + X_薄膜(111)
机译:连接具有原子间电势的电子结构:硅(111)5x2金。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:$ pb_ {0.4} Bi_ {1.6} sr_ {2} Ca_ {1} Cu_ {2} O_ {8 + x} $和氧化学计量: 结构,电阻率,费米面拓扑和正态性质
机译:Gaas(001)衬底取向偏向(111)对In(x)Ga(1-x)as / Gaas光学性质的影响
机译:通过从杂质和/或氧化物层清洗衬底表面,结构化然后沉积活性原子和/或分子簇,在双极板的衬底上产生量子结构和/或连续的纳米金属岛
机译:含氧化铝双介电层的微电子电容器结构的原子层沉积及等离子体处理方法
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