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宋莉娜; 吕燕伍;
北京交通大学理学院 北京 100044;
二维电子气浓度; 界面粗糙度散射; 随机偶极散射; 极性光学声子散射;
机译:ingaN蓝色发光二极管中的AlGaN电子阻挡层/ GaN阻挡层的界面状态密度的影响
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:带有AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的效率增强
机译:N-GaN平面层对GaN基纳射线IngaN / AlGan MQWS发光层的影响
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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