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施亨宪; 杨凯科; 骆军委;
中国科学技术大学微电子学院 合肥 230022;
中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室 北京 100083;
湖南师范大学物理系 低维量子结构与调控教育部重点实验室 量子效应及其应用协同创新中心 长沙 410081;
Ⅲ-Ⅴ族半导体; 砷化硼; 热导率; 非谐声子相互作用;
机译:邀请氮化硼作为最终的III-V族化合物半导体材料
机译:阳离子聚电解质桥接硼氮化硼微塑料基(乙烯醇)复合材料:一种新的热导率的新方法
机译:III-V族化合物半导体的外延成核与生长机理
机译:考虑III-V族化合物半导体中与水的表面反应机理
机译:芳香取代的S(RN)1机理的机理研究:1.芳香族底物的电子捕获光谱和动力学,2.苯自由基与核素(自由基)反应的绝对速率常数。
机译:(2-{35-双(11-二甲基基)-4-羟基苯基(5-甲基-2H-吡咯-2-基基)基} -5-甲基-1H-吡咯基-κ2的晶体结构NN)二氟硼硼
机译:II-VI族化合物半导体超细晶体以光能为驱动力的材料转化机理研究
机译:具有硼的mB族金属的固溶体的形成,以及硼中的变形机理,位错和孪晶
机译:制备III族氮化物基化合物半导体的方法,包括III族氮化物基化合物半导体的晶片和III族氮化物基化合物半导体器件
机译:制备III族氮化物半导体晶体的方法,制备氮化镓基化合物半导体的方法,氮化镓基化合物半导体,氮化镓基化合物半导体发光器件以及使用该半导体光的光源
机译:III族氮化物基化合物半导体的制造方法,晶片和III族氮化物基化合物半导体器件
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