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王苏杰; 李树强; 吴小明; 陈芳; 江风益;
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心 南昌 330047;
AlGaInP; 欧姆接触; 退火工艺; 发光二极管;
机译:微观结构特征研究退火工艺参数对AuGeNi欧姆接触n-GaAs的影响
机译:快速热退火对Ar感应耦合等离子体处理的n型4H-SiC肖特基和欧姆接触的影响
机译:氧热退火处理对n-GaN欧姆接触形成的影响
机译:快速热退火对N-Al 0.45欧姆接触的快速热退火对N-Al 0.45 INF> 0.55 INF> N的影响
机译:对p型氮化铝镓的欧姆接触的处理和性能的研究。
机译:溶剂它们的混合物和热退火对固溶处理的聚合物发光二极管性能的影响
机译:快速热退火和微波处理对InP和GaAs欧姆接触电阻率的影响
机译:采用高温快速热退火进行自对准加工的n型Gaas欧姆接触
机译:使p型gan与透明电极之间的欧姆接触的方法及其热退火装置
机译:快速热退火以减少图案影响
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