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梅良模; 关大任;
不详;
硅烷; 表面电子结构;
机译:Mg_2Si(100),(110)和(111)表面的表面电子结构,弛豫和热力学能:第一性原理理论研究
机译:用密度泛函理论研究GaP / Si(111),GaP / Si(110)和GaP / Si(113)界面和超晶格的原子和电子结构
机译:SI(111)上亚稳态FeSI(CSCL)(111)表观生长的表面电子结构
机译:使用旋转角度分辨的光扫描光谱法研究Si(111)表面的表面电子结构
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:作为高效自旋过滤器吸附在Au(111)表面上的内表面富勒烯Fe @ C28的理论研究
机译:由角度分辨光电子谱研究的Si(111)2×1和Si(111)7×7的体积和表面电子结构
机译:si(001)和si(111)表面的几何和电子结构:状态报告
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:在SI材料的(111)表面上具有SI材料和III-N材料的半导体晶片结构
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