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郭常霖;
无;
机译:单色同步加速器X射线形貌在掠入射布拉格情形下观察到的4H-SiC晶体中基面位错和螺纹边缘位错的Burgers向量的对比和识别
机译:C面位位错转化在轴外晶体中的2英寸SiC晶体生长中的应用
机译:通过外延层中穿线边缘位错的形貌分析表征4H-SiC衬底中的基础平面位错
机译:通过VGF工艺生长的半导体晶体中位错生成的晶体学有限元建模。
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:广义弹性与位错理论的基本原理 准晶体:绿色张量,位错键公式和位错环
机译:立方晶体中的位错势垒相互作用。第一卷。各向异性面心立方晶体中位错的相互作用。 (断裂现象理论研究)
机译:PVT SiC法减短PVT减少SIC晶体中的位错
机译:减少通过升华(PVT)生长的SiC晶体中位错的方法
机译:减少生长的SiC晶体中位错的升华(PVT)方法
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