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彭栋梁; 王天民; 童志深;
不详;
氢; 多晶纯钴; 缺陷; 正电子湮没;
机译:通过正电子湮没寿命光谱法纯α-铁中氢诱导缺陷的应变率依赖性
机译:正电子湮没光谱研究他植入多晶α-SiC的空位型缺陷
机译:用正电子湮没光谱研究钛氢和辐射缺陷相互作用研究
机译:(30-147)正电子湮没方法氢诱导纯镍的缺陷
机译:间隙氢的旋转运动和硅中氢修饰晶格缺陷的振动寿命的红外研究。
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:变形后充氢的多晶硅钴中氢致缺陷的正电子AN没研究
机译:正电子湮没法在其他方法中辐射缺陷和缺陷研究中的应用。 1981年12月至1985年12月期间的最终报告
机译:用于正电子湮没特性的测量装置和测量方法
机译:用于测量正电子湮没寿命的装置,调整辐射测量仪的方法,以及辐射测量仪
机译:使用金属氢化物的高温高压充氢装置,制备充氢装置的装置,制备方法及其在金属试样中暴露于氢气中的方法
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