B改善单晶和多晶Ni3Al合金力学性能的微观机制

摘要

通过测量Ｂ含量从０．００至２．２２ａｔ％的单晶和多晶Ｎｉ３Ａｌ合金的正电子寿命谱，研究了单晶和多晶Ｎｉ３Ａｌ合金中的微观缺陷和电子结构。结果表明，多晶Ｎｉ３Ａｌ合金晶界中存在着开空间大于空位的缺陷。晶界缺陷处参与形成Ｎｉ－Ｎｉ和Ｎｉ－Ａｌ键的价电子浓度比基体或位错处的低，晶界是结合力弱化区域。偏聚到Ｎｉ３Ａｌ合金缺陷上的Ｂ与缺陷处的Ｎｉ或Ａｌ原子形成强的共价键而增强了这些地方的结合力。以间隙方式固