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张昊翔; 卢焕明; 叶志镇; 赵炳辉; 汪雷; 阙端麟;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
氮化镓; 外延层; 光致发光光谱; 二次离子质谱;
机译:通过真空反应蒸发法在Si(111)衬底上生长的GaN膜的X射线衍射,光致发光和二次离子质谱研究
机译:在锗上生长的Si掺杂的GalnP外延层中Ge基络合物的光致发光和拉曼光谱研究
机译:惰性氮分子,氮自由基原子,氮自由基分子和氮分子离子之间的相互影响对通过分子生长在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层的生长过程和晶体结构的影响
机译:Si,Mg和C离子植入GaN外延层的SIMS深度分析中二次离子产率的测定
机译:通过飞行时间二次离子质谱,反射吸收傅里叶变换红外光谱和高分辨率电子能量损失光谱研究聚(二甲基硅氧烷)Langmuir单层膜中的聚合物三级结构。
机译:通过共焦拉曼光谱和光致发光光谱法对图案化蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管进行三维表征
机译:用原子深度分辨率氮化硼外延层碳籽粒形成的二次离子质谱研究
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:光谱计算处理装置,光谱计算处理方法,离子阱质谱法,离子阱质谱法和非暂态计算机可读介质存储光谱计算程序
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