谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用

邵军

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在简要讨论谱导数法物理机理的基础上, 给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的成功应用实例. 比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别. 指出了谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的重要性和易行性.

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来源
《物理学报》 |2003年第10期|2534-2540|共7页
作者
邵军;
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作者单位

Physikalisches Institut, Universitat Stuttgart,D-70550 Stuttgart, Germany;

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
谱导数法; 吸收谱; 反射谱; 多量子阱; 激子;

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