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赖天树; 范海华; 柳振东; 林位株;
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;
GaN薄膜; 吸收归一化光致发光激发谱; 宽带黄光发射;
机译:基于InGaN-AlGaN-GaN量子阱的黄光发射器的俄歇效应
机译:MOCVD生长的GaN外延膜上的近带隙UV和黄光发射的空间分布
机译:宽带隙半导体基表面发射激光器:基于GaN的垂直腔表面发射激光器和基于GaN / ZnO的极化子激光器的最新进展
机译:氮化物半导体可以提供直接过渡的宽带隙能量,从而使200至400nm的紫外(UV)发射能够。 GaN P-N结,IngaN-LED,GaN-MQW-LED,Algan-QW-LED和InalGaN LED被提出为UV发射器S.
机译:用同步加速器辐射研究宽带隙GaN和薄铝掺杂层的电子和原子结构。
机译:费氏弧菌Y-1菌株的黄光发射:接受能量的黄色荧光蛋白的纯化和表征。
机译:热退火超级黄光发射层对OLED效率的影响
机译:用于认知无线电的宽带可重构谐波调谐GaN sspa。
机译:白光发射装置具有两个磷光体,它们在被蓝色或蓝绿色LED激发后分别发射具有预定波长的黄光和红光,其中黄光和红光混合为白光
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:发射黄光的磷光体和使用其的白光发射装置
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