反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究

摘要

采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷(CHF3)和氩气(Ar)作源气体制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外-可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2/sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响.结果表明在低功率(60W)、高气压(2.0Pa)和适当的流量比(Ar/CHF3=2∶1)下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的F-DLC薄膜.