首页> 中文期刊> 《物理学报》 >碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用3UCVD技术在p型4H-SiC上制备了栅氧化层,其正的氧化物电荷密度仅有1.6×1011cm-2,这一结果优于传统的热氧化工艺.为检验氧化层质量所做的高频C-V测试采用了正面接地的新的测试结构,克服了常规测试结构的缺点.

著录项

来源
《物理学报》 |2004年第9期|3225-3228|共4页
作者
汤晓燕; 张义门; 张鹤鸣; 张玉明; 戴显英; 胡辉勇;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
淀积; 高频C-V测试; 二氧化硅; 碳化硅;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 2.5D石英纤维织物增强二氧化硅基复合材料弯曲性能测试研究 [J] . 于佩志 ,张涛 ,王晓薇 . 宇航材料工艺 . 2004,第005期
2. 低温常压化学汽相淀积二氧化硅膜和掺磷二氧化硅工艺研究 [J] . 陈胜义 . 延河集成电路 . 1992,第002期
3. 基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究 [J] . 陈帅 ,谢灯 ,丘志仁 . 光散射学报 . 2016,第002期
4. InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及C-V特性 [J] . 戴国瑞 ,管玉国 ,赵军 . 半导体光电 . 1997,第2期
5. 碳化硅纳米线增韧碳化硅纤维/碳化硅基体损伤行为研究 [J] . 李陇彬 ,薛玉冬 ,胡建宝 . 无机材料学报 . 2021,第010期
6. 二氧化硅涂层对碳化硅基复合材料高温抗氧化性能的影响 [C] . 邱海鹏 ,孙明 ,丁海英 . 第七届全国新型炭材料学术研讨会 . 2005
7. 掺铒富硅二氧化硅的结构、电学及光学性质与钼（100）表面外延生长氧化镁（100）薄膜上淀积钯与水反应的研究 [A] . 徐飞 . 2004

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号