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量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究

         

摘要

采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs/AlGaAs多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性,测得电子自旋极化弛豫时间为80±10ps.说明了电子自旋-轨道耦合相互作用引起局域磁场的随机化,是导致电子的自旋极化弛豫的主要机理.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2004年第9期|3196-3199|共4页
  • 作者单位

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州,510275;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    自旋电子学; 半导体量子阱; 飞秒激光光谱; 自旋-轨道耦合;

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