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刘仕锋; 秦国刚; 尤力平; 张纪才; 傅竹西; 戴伦;
北京大学物理学院,北京,100871;
人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;
北京大学电子显微镜实验室,北京,100871;
中国科学院半导体研究所,北京,100083;
中国科学技术大学物理系,合肥,230027;
GaN; 纳米结构; 透射电子显微镜; 光致荧光谱;
机译:通过无催化剂化学气相沉积技术将β-Ga_2O_3纳米带生长并转化为GaN纳米线
机译:使用改良的金属有机化学气相沉积法生长网络结构的碳掺杂GaN(GaN:C)纳米线
机译:使用金属有机化学气相沉积法在单根n-GaN纳米线的m和r面上生长的InGaN / GaN多量子阱异质结构的不同特性
机译:HC1在纳米线的生长中的益处,化学气相沉积:小直径纳米线的生长和受控刻面进化。
机译:通过化学气相沉积在硅上生长碳纳米管和半导体纳米线。
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:GaN / siO2核/壳纳米线在气 - 液 - 固中的一步生长 化学气相沉积技术
机译:无催化剂的GaN纳米线生长和光电特性
机译:通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
机译:利用氧气生长的纳米线CMOS技术的双介电层厚度技术
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