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GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究

         

摘要

借助高分辨电子显微像结合解卷处理的方法研究了GaN晶体中的堆垛层错.简要介绍了高分辨电子显微像的解卷处理原理,指出通过解卷处理可以把本来不直接反映待测晶体结构的高分辨电子显微像转换为直接反映晶体结构的图像.用高分辨电子显微像观察了GaN晶体中的堆垛层错,对高分辨电子显微像作了解卷处理.在解卷像上清晰可见缺陷核心的原子排列情况,据此确定了层错的类型.此外,还讨论了解卷处理在研究晶体缺陷中的效用.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2005年第9期|4273-4278|共6页
  • 作者单位

    中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080;

    中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080;

    中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080;

    中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    GaN; 晶体缺陷; 高分辨电子显微学; 解卷处理;

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