缺陷对左手材料负折射的调控行为

摘要

采用电路板刻蚀技术制备左手材料样品,由劈尖法分别研究了无缺陷和引入缺陷时左手材料的负折射特性.实验结果表明,引入两种点缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比分别为1.035和1.256,且负折射率的绝对值分别增大了9.6%和19.6%;引入空位缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比最大为1.973,最小为0.364,负折射率的绝对值最大增大了68.3%,最小增大了9.6%.缺陷的存在改变了左手材料周期性结构,形成新的电磁谐振条件,使其负折射率和功率峰值发生了变化,实现了对左手材料负折射率的调控.