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取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究

         
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摘要

用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线,并研究了In2O3纳米线的场发射性质,发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线,这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2006年第11期|6136-6140|共5页
  • 作者

    胡利勤; 林志贤; 郭太良; 姚亮; 王晶晶; 杨春建; 张永爱; 郑可炉;

  • 作者单位

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

    福州大学电子科学与应用物理系,福建,350002;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    场发射; 纳米线; 取向; 非取向;

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