FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应

摘要

用射频溅射法制备了Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9单层膜和结构为(F/S)3/M/(F/S)3的多层膜,在制备过程中加72kA/m的纵向磁场.研究表明在制备过程中加磁场明显改善了材料的软磁性能,降低了材料的矫顽力.将样品经不同温度退火热处理后,发现经230℃退火1.5h的单层膜和多层膜具有最佳的软磁性能和最大的磁阻抗效应,单层膜最大横向磁阻抗比为37.5%,多层膜最大横向磁阻抗比高达277%.通过比较单层和多层膜磁阻抗效应随频率和磁场的变化,发现多层膜具有较低的磁阻抗效应的临界频率和峰值特征频率,和较大的磁阻抗变化率,而且有较低的横向磁阻抗效应的饱和场.