电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性

戴涛; 刘玉资; 张泽

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电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性

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介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所以通过测定内建电场的方向就可以确定结构的生长极性.还用会聚束电子衍射方法对电子全息方法的测定结果进行了验证.

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来源
《物理学报》 |2006年第11期|5829-5834|共6页
作者
戴涛; 刘玉资; 张泽;
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作者单位

北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室,北京,100080;

北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室,北京,100080;

北京工业大学,北京,100022;

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正文语种 chi
中图分类流变学;
关键词
电子全息; 生长极性; 极化;

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