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王久敏; 陈坤基; 宋捷; 余林蔚; 吴良才; 李伟; 黄信凡;
南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;
纳米硅; 氮化硅; 电容电压法; 电流电压法;
机译:使用氮化硅/二氧化ha堆叠作为隧道电介质,将锗的渗透,纳米晶体的形成,电荷存储以及在三层存储结构中的保留最小化
机译:使用富硅氮化硅作为电荷存储层的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器
机译:在热生长的二氧化硅和APCVD氮化硅的双层中存储电荷
机译:二氧化硅和氮化硅双层中的电荷存储
机译:氮化硅薄膜中存在的电荷及其对硅太阳能电池效率的影响的研究
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:通过si注入的氮化硅薄膜中的电荷俘获和去除猝灭和再激活电致发光
机译:数字传感器原理研究。第四卷 - 薄氮化硅薄膜中的电荷传输机制,1966年7月1日 - 1967年6月30日
机译:低温形成氮化硅的方法,包括使用该氮化硅形成的晶体纳米点的电荷陷阱存储器件以及该电荷陷阱存储器件的制造方法
机译:半导体存储单元电子EPROM,例如NAND体系结构具有电荷捕获存储层,该电荷捕获存储层由非晶碳化硅和氮化硅层组成,并且在较少的杂质区域具有特定的浓度
机译:氮化硅薄膜沉积方法及氮化硅薄膜沉积装置
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