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朱志炜; 郝跃; 张金凤; 方建平; 刘红侠;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
静电放电; 速度过冲; 能量弛豫时间;
机译:深亚微米NMOSFET的总电离剂量增强的DIBL效应
机译:深亚微米PDSOI nMOSFET中的短沟道效应
机译:深亚微米槽栅NMOSFET的结构与热载流子效应抗性的关系研究
机译:“源/漏处理对深亚微米大块体和SOI NMOSFET的反向短沟道效应的影响”
机译:适用于深亚微米片上系统(SoC)的基于传输门的耐变化主动时钟去偏斜。
机译:具有最新fmax的深亚微米石墨烯场效应晶体管
机译:栅氧化层击穿对深亚微米NmOsFET射频噪声的影响
机译:进一步研究耦合的化学反应边界层和炭化消融器。第3部分 - 适用于消融产品污染边界层的非辐射传输模型
机译:在深亚微米CMOS技术中提高厚栅氧化物接地栅NMOSFET的ESD鲁棒性的注入方法
机译:新型注入方法可提高深亚微米CMOS技术中厚栅极氧化物接地栅极NMOSFET的ESD鲁棒性
机译:与链接到网络的本地和非本地通信设备一起使用的控制设备使用数据传输设备将数据从非本地通信设备发送到本地通信设备。
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