大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管

摘要

为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,有效降低了器件的通态功耗;反向恢复时间缩短了一半多,反向峰值电流降低了约25%,软度因子提高了1.3倍,而反向阻断电压和反向漏电流基本不发生变化.研究发现,Ge和C的含量是影响p+(SiGeC)-n--n+二极管特性的重要参数,这为器件结构设计提供了更大的自由度.