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刘以良; 孔凡杰; 杨缤维; 蒋刚;
四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065;
中国工程物理研究院,绵阳,621900;
密度泛函理论; 化学吸附; 电子结构; 金刚石生长;
机译:第一性原理研究氢在Cu(111)和Ni(111)表面CH4分解过程中石墨烯生长的早期阶段中的作用
机译:(111)应变对LaAlO_3的八面体旋转和结构相影响的第一性原理研究
机译:探索外延生长单层Stanene的Ag(111)基底:第一性原理研究
机译:原子和分子氧在3C-SiC(111)和((111))表面上的吸附:第一性原理研究
机译:铂(111),钯(111)和薄膜钯氧化物的氧化和反应性的第一性原理研究
机译:ag(111)和H / ag(111)表面等离子体的第一性原理研究
机译:金刚石中(pi)键合(100)平面缺陷的第一性原理研究
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:在(111)硅衬底上生长(111)II-VI族外延层的方法
机译:在(111)硅衬底上生长的(111)II-VI组外延层
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