一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器

周梅; 左淑华; 赵德刚

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一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器

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提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究结果还表明:采取较薄、载流子浓度较高的AlGaN层更有利于提高这种新结构器件的量子效率.

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来源
《物理学报》 |2007年第9期|5513-5517|共5页
作者
周梅; 左淑华; 赵德刚;
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作者单位

中国农业大学理学院应用物理系,北京,100083;

中国农业大学理学院应用物理系,北京,100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类原子核物理学、高能物理学;
关键词
GaN; 肖特基结构; 紫外探测器; AlGaN;

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