磁场方向调制的InAs量子点分子量子比特

摘要

在有效质量近似条件下研究了由两个垂直耦合自组织InAs量子点组成的双电子量子点分子的电子结构,在此基础上利用系统的总自旋提出了一种磁场方向调制的量子比特方案.电子的相关效应可以导致系统的总自旋在0和1之间转换,值得注意的是,通过调节外部磁场的方向来实现这种转换,而不是像以往那样通过改变外部磁场的大小.结果支持利用系统的总自旋作为磁场方向调制的量子比特的可能性,而且因为高质量的垂直耦合量子点分子的制作工艺已经成熟,所以这是一个非常现实的量子比特设计方案.