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顾晓玲; 郭霞; 梁庭; 林巧明; 郭晶; 吴迪; 徐丽华; 沈光地;
北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100022;
极化; 载流子不均匀分布; 双波长;
机译:n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的双波长电致发光
机译:不同波长的(2021)InGaN / GaN发光二极管的电致发光特性
机译:双波长InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光特性和载流子动力学研究
机译:有机金属气相外延生长的Eu掺杂GaN基发光二极管的电致发光特性
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:具有p型势垒和垂直堆叠量子阱的GaN基双波长发光二极管的研究
机译:确定电致发光二极管/二极管安装热特性的实验
机译:GaN基发光二极管的波长调谐,深供体的引入,发光二极管阵列和显示的调谐
机译:生长用于制造具有增强的光提取特性的发光二极管的GaN层的方法,使用该GaN层的发光二极管的制造方法及其发光二极管装置
机译:具有增强的光提取特性的制造发光二极管的gan层的生长方法,使用相同的发光二极管的制造方法及其发光二极管装置
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