硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究

摘要

测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.