外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

周蓉; 孙宝权; 阮学忠; 甘华东; 姬扬; 王玮竹; 赵建华

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外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

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利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.

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来源
《物理学报》 |2008年第8期|5244-5248|共5页
作者
周蓉; 孙宝权; 阮学忠; 甘华东; 姬扬; 王玮竹; 赵建华;
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作者单位

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
时间分辨Kerr旋光测量; Zeeman效应; Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida模型;

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