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纳米线阵列横向输运的热电特性研究

         

摘要

利用包络函数的平面波展开法计算准二维纳米线阵列中的电子态.获得电输运系数表达式.同时,通过合理近似考虑边界散射对声子输运的影响,计算得到了晶格热导率.以Si/Ge体系为例,研究了纳米线阵列横向输运的热电特性.结果表明:结构优值与费米能级、纳米线直径及间距等参数相关.通过对结构参数的调整,纳米线阵列的横向输运可有效提高热电性能.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2008年第8期|5198-5204|共7页
  • 作者单位

    南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

    南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    热电性能; 纳米线阵列; Seebeck系数; 晶格热导率;

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