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陈顺生; 杨昌平; 邓恒; 孙志刚;
湖北大学物理学与电子技术学院,铁电压电材料与器件湖北省重点实验室,武汉,430062;
武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;
电致电阻效应; 显微结构; 钙钛矿结构锰氧化物; 界面电阻;
机译:Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷中与界面有关的电阻切换
机译:MgO变化对ZnO基线性电阻陶瓷显微结构和电性能的影响
机译:Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷中氧空位对EPIR效应的影响
机译:手性近晶A液晶的场致光学双轴性与电临床效应的相关性
机译:受雨致分裂影响的两个兔眼和两个南部高灌木蓝莓品种的理化和显微结构特性以及减少这种分裂的文化实践
机译:基于三个电阻器的射频心消融中电阻抗的集总元电模型:从分析计算和临床数据估计
机译:Nd0.7sr0.3mnO3薄膜中的电流引起阶跃状电阻跳跃和负微分电阻
机译:考虑磁电阻效应的低温电感器的电损耗和电阻
机译:具有改善的蠕变电阻和相关电致变色器件的电致凝胶电解质凝胶介质
机译:减少半导体器件中的电致裂纹和挤出效应的结构和方法
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