碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的第一性原理研究

摘要

对闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系,运用第一性原理研究了电子场发射性能.结果表明,掺碳的BNNT体系电子结构变化显著;外电场愈强,体系态密度向低能端移动幅度愈大,且最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙愈小.体系态密度和局域态密度,HOMO和LUMO及其能隙分析一致表明,各种碳掺杂体系中CeqBNNT的场发射性能最佳.