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负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

         

摘要

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5 mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500 V;当激励电压为500 V,抽取电压为3.5 kV时,得到690 A发射电流.结果表明,PLZST反铁电陶瓷发射阈值电压低,发射电流大,即使激励电场低于陶瓷的正向开关电场,仍能得到强发射电流.最后,讨论了PLZST反铁电陶瓷在负脉冲激励下电子发射内在机制.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2009年第6期|4249-4253|共5页
  • 作者单位

    西安建筑科技大学物理系,西安,710055;

    西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049;

    西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049;

    西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049;

    西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安,710049;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    反铁电材料; 铁电阴极; 电子发射;

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