嵌入T型耦合双量子点介观A-B环系统的显著Fano 效应

摘要

利用平均场近似理论,研究了一个嵌入T型弱耦合双量子点的介观环系统的基态性质. 结果表明,体系中复杂的基态性质源于Kondo效应与Fano效应相互竞争. 当介观环的尺寸达到足以产生完全Kondo共振时,随双量子点间耦合强度的增强,尖锐的持续电流峰出现了,且越发显著,这说明体系中存在着显著的Fano 效应. 但介观环的Kondo共振持续电流峰值却几乎不发生变化,这为测定Kondo 屏蔽云提供了一个新的可能模型.