首页> 中文期刊> 《物理学报》 >掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

         

摘要

通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400 nm,长为2-3 μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明, 六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In 的掺杂,含量约为0.8%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大, 没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2009年第4期|2702-2706|共5页
  • 作者单位

    北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083;

    北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;

    北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083;

    北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;

    北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;

    北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;

    北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    In掺杂; ZnO; 纳米阵列; 光致发光;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号