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张林; 张义门; 张玉明; 韩超; 马永吉;
西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安,710071;
碳化硅; 肖特基; 辐照效应; 偏压;
机译:热退火的伽马辐照Ni / 4H-SiC肖特基势垒二极管特性
机译:高能质子辐照对Au / Ni / 4H-SiC肖特基势垒二极管电学特性的影响
机译:高能电子辐照Ni / 4H-SiC肖特基势垒二极管的电学特性
机译:使用基于Mo,Ti和Ni的触点的4H-SiC肖特基势垒二极管
机译:同步X射线形貌表征4H-SiC衬底的缺陷
机译:Ni / Pd / n-GaN肖特基势垒二极管的电荷传输结构和光学性质的中能碳和氮离子束诱导修饰
机译:Ni / 4H-siC肖特基势垒二极管对不同能量的α粒子辐照的响应
机译:Fe-sub 40 Ni sub 38 mo sub 4 B sub 18的非晶合金中的结晶和辐照效应
机译:4H-SiC形成4H-SiC基板半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:n型4h-SiC单晶基体和n型4h-SiC单晶基体的生产方法
机译:p型4H-SiC单晶的制造方法及p型4H-SiC单晶
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