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陈静; 金国钧; 马余强;
南京大学物理系,南京,210093;
淮阴师范学院物理系,淮安,223001;
Co掺杂ZnO; 稀磁半导体; 第一性原理计算; 氧空位缺陷;
机译:氧空位对钴掺杂zno稀磁半导体磁性能的影响
机译:氧空位对环境条件下纳米晶锌氧化锌薄膜摩擦性能的影响
机译:氧空位对氧化锌弹性性能的影响:第一性原理研究
机译:钴掺杂氧化铟稀磁半导体的磁传输性能
机译:氧空位对空间稳定的铝掺杂氧化锌薄膜的影响。
机译:表面氧空位:在环境条件下研究的金属氧化物半导体中光诱导的表面氧空位的动力学(Adv。Sci。22/2019)
机译:氧气空位缺陷和钴掺杂对超细SnO2-δ纳米晶体光学,电子和光催化性能的影响
机译:半导体中空位和氧相关缺陷的电子结构计算。
机译:用于照明装置的氧化锌晶体或基于氧化锌的半导体晶体的生产方法使锌和氧在衬底的锌极性平面上反应并使晶体生长
机译:半导体元件二极管,具有由氧/空位络合物形成的掺杂剂区域,该掺杂剂区域从半导体本体的上侧到本体的下侧具有指定的距离,并且包含指定范围内的氧浓度
机译:具有反应层的薄膜晶体管在氧化物半导体中产生氧空位
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