脉冲激光沉积制备的Co_(80)Cr_(20)/Ti_(90)Cr_(10)薄膜的结构与磁性

摘要

用脉冲激光沉积(PLD)的方法在硅单晶基片上制备了Ti90Cr10和Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜,用XRD研究了Ti90Cr10薄膜的晶体结构与制备温度的关系,结果表明随着温度升高,薄膜从非晶态逐步向晶态转化,并且计算了Ti90Cr10薄膜的晶粒大小以及晶格常数.利用透射电镜对Ti90Cr10薄膜进行了表面和截面形貌的表征.采用纳米压痕仪对Ti90Cr10薄膜的硬度和膜基界面结合力进行了分析,表明薄膜的硬度和膜基结合力随制备条件改变有所变化,制备温度增加,薄膜的硬度和膜基结合力随之增加.利用Ti90Cr10薄膜作为中间层,用PLD制备了Co80Cr20磁性层,获得了很好的垂直磁化性质,膜厚减小,矫顽力和矩形比有所增加,600℃真空条件下制备的Co80Cr20(8nm)/Ti90Cr10(14nm)薄膜的矫顽力为65·25kA/m,矩形比为0·86,并且讨论了Co80Cr20/Ti90Cr10薄膜的磁化性质.