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崔建功; 张霞; 颜鑫; 李军帅; 黄永清; 任晓敏;
北京邮电大学;
信息光子学与光通信国家重点实验室;
北京100876;
GaAs纳米线; 无催化选区生长; 金属有机化学气相沉积法;
机译:ZB和WZ晶体结构中自催化MBE生长的GaAs / GaA_(sx)Sb_(1-x)核壳纳米线
机译:In_xGa_(1-x)As / GaAs异质结构纳米线中的激子复合和吸收
机译:无催化剂GaAs纳米线端面上棱柱异质结构的长距离外延生长
机译:MBE in_xga_(1-x)Sb / in_yal_(1-y)Sb异质结构的形态学和微生物研究在(100)GaAs基材上生长
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:AlGaAs / GaAs异质结优化GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池
机译:在Si(111)上生长的自催化GaAs纳米线中径向P-N结的纳米级研究
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:高Sb浓度盖卡/ GaAs(1-X)SBXN / Gaalas核心 - 壳 - 壳纳米线
机译:GaAs / GaAs(1-x-y)SbxNy核壳纳米线
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
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