对称GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As双量子阱中激子的束缚能

张红; 刘磊; 刘建军

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在有效质量近似下采用简单的尝试波函数变分地计算了对称GaAs/Al0·3Ga0·7As双量子阱中激子体系束缚能,研究了体系束缚能随阱宽和垒宽的变化情况.发现双量子阱中激子体系束缚能随阱宽变化同单量子阱情况类似,但束缚能的峰值出现在阱宽为10左右,峰值位置小于单阱的情况;束缚能随垒宽的增加有一极小值,这与波函数向垒中的渗透有关.

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来源
《物理学报》 |2007年第1期|487-490|共4页
作者
张红; 刘磊; 刘建军;
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作者单位

河北师范大学物理科学与信息工程学院;

石家庄050016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体理论;
关键词
对称双量子阱; 激子; 束缚能;

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