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张现平; 马衍伟; 高召顺; 禹争光; K.Watanabe; 闻海虎;
中国科学院电工研究所应用超导实验室;
北京100080;
日本东北大学金属材料研究所;
中国科学院物理研究所;
MgB2带材; C掺杂; SiC掺杂; 临界电流性能;
机译:纳米SiC掺杂对MgB_2 / Fe导线和带材中超导临界参数的影响
机译:加热速率对纯MgB_2,碳纳米管和纳米SiC掺杂原位MgB_2 / Fe导线超导性能的影响
机译:纳米SiC掺杂MgB_2带的制备及超导性能
机译:SiC纳米粉掺杂MgB_2超导体的超导性能
机译:具有和不具有周期性纳米孔阵列的铋锶钙氧化铜纳米带的超导性能和涡旋动力学。
机译:纳米SiC颗粒的预氧化处理对粉末冶金热挤压制备SiC / Mg-8Al-1Sn复合材料组织和力学性能的影响。
机译:纳米siC掺杂对mgB2 / Fe线材和带材超导临界参数的影响
机译:在钬掺杂YBa2Cu3O7-Delta超导体中调整纳米粒子增强电学性能
机译:使用湿混合过程的MgB_2交互式混合物功率制造方法,使用相同方法的MgB_2交互式混合物功率和MgB_2超导电线杆制造方法
机译:碳纳米管,带碳纳米管的SiC晶须,碳纳米管膜,带碳纳米管膜的SiC基体和碳纳米管膜体
机译:掺杂剂的选择方法,掺杂剂组成,碳纳米管-掺杂物复合物的制造方法,片材和碳纳米管-掺杂物复合物
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