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王茺; 刘昭麟; 陈平平; 崔昊杨; 夏长生; 杨宇; 陆卫;
云南大学工程技术研究院;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
上海200083;
合金分解效应; InAs/In0.15Ga0.85As量子点; 光致发光光谱; 压电调制光谱;
机译:GaAs / In_(0.15)Ga_(0.85)As / In_xGa_(1-x)As / GaAs嵌入InAs量子点的量子阱中的发射和弹性应变研究
机译:垂直入射InAs / In_(0.15)Ga_(0.85)As量子点阱中探测器,在长波红外大气窗口(8-12μm)中运行
机译:Ga_(0.85)In_(0.15)As应变阱中InAs量子点的光致发光发射的温度依赖性
机译:具有硅掺杂势垒的In_(0.15)Ga_(0.85)N / In_(0.015)Ga_(0.985)N量子阱的时间分辨光致发光测量
机译:砷化铝镓-砷化镓量子阱异质结构中的声子和合金聚集效应
机译:使用非对称In0.15Ga0.85N / In0.02Ga0.98N多量子阱提高InGaN激光二极管的输出功率
机译:GaN,In_(0.05)Ga_(0.95)N和a中的超快载流子弛豫 In_(0.05)Ga_(0.95)/ In_(0.15)Ga_(0.85)N多量子阱
机译:Inas(0.15)sb(0.85)/ Insb多量子阱中光孔的能量弛豫。
机译:在量子阱层和势垒层中均具有三元合金材料的应变量子阱结构
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