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张孝富; 李豫东; 郭旗; 罗木昌; 何承发; 于新; 申志辉; 张兴尧; 邓伟; 吴正新;
中国科学院新疆理化技术研究所;
乌鲁木齐830011;
新疆电子信息材料与器件重点实验室;
重庆光电技术研究所;
重庆400060;
高铝组分AlxGa1-xN; γ射线辐射效应; 理想因子; 欧姆接触;
机译:高性能百叶窗Al_(0.6)Ga_(0.4)N / Al_(0.5)Ga_(0.5)N MSM型光电探测器
机译:使用Zn(Ⅱ)卟啉自组装单层的Al_(0.5)Ga_(0.5)Nβ(0.5)Nβ的有机钝化,以改善太阳盲光电探测器性能
机译:陷阱水平对AL_(0.6)GA_(0.4)N / AL_(0.5)GA_(0.5)N金属半导体 - 金属UV光电探测器的影响
机译:p型Al_(0.5)Ga_(0.5)AS / GaAs / Al_(0.5)Ga_(0.5)中的负极和持续的正光电导性
机译:具有高击穿电压和探测能力的日盲AlGaN基p-i-n光电探测器
机译:使用离子室和热释光剂量计测量各种60-Co和X射线束的深度剂量因子。 1982年5月1日至1983年4月30日期间的最终报告
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