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游达; 许金通; 汤英文; 何政; 徐运华; 龚海梅;
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;
上海200083;
AlGaN; 二维空穴气; 极化效应;
机译:具有AlN / GaN超晶格和低温AlN中间层的GaN /蓝宝石模板上的Al_(0.35)Ga_(0.65)N / GaN多量子阱中的不同应变消除行为
机译:Al_(0.06)Ga_(0.94)N / GaN应变层超晶格覆层对AlN / GaN中间层的Si(111)衬底上生长的InGaN基多量子阱的影响
机译:Al_(0.07)Ga_(0.93)N / GaN多量子阱结构中的辐射复合过程,空穴定位的作用
机译:调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单量子阱中二维电子气的反弱定位
机译:砷化铟/铝(x)镓(1-x)锑量子阱中二维电子和空穴的远红外磁光研究。
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:核壳型InGaN / GaN多量子阱纳米线LED效率的三维数值研究
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:2种二维电子气共振的量子阱电子结构的GaN基半导体发光器件
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:垂直圆柱GaN量子阱晶体管的形成方法
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