F掺杂SnO_2电子结构的模拟计算

徐剑; 黄水平; 王占山; 鲁大学; 苑同锁

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F掺杂SnO_2电子结构的模拟计算

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采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.

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来源
《物理学报》 |2007年第12期|7195-7200|共6页
作者
徐剑; 黄水平; 王占山; 鲁大学; 苑同锁;
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作者单位

同济大学物理系;

精密光学工程技术研究所;

上海200092;

中国耀华玻璃集团公司;

秦皇岛066013;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类固体理论;
关键词
F掺杂; SnO2; 电子结构; 态密度;

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