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周小莉; 杜丕一;
台州学院物理系;
临海317000;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
杭州310027;
ACu3Ti4O12; 晶相含量; 阻挡层电容; 晶体; 相对介电常数;
机译:Ni2 +掺杂的CaCu3Ti4O12中显着增强的介电响应和非线性电气行为的起源:DC偏置对晶界和相关巨电介电性能的电学性能的影响
机译:化合物ACu_3Ti_4O_(12)(A = Ca,Bi_(2/3),Y_(2/3),La_(2/3)的介电性能和Maxwell-Wagner弛豫
机译:SiO2阻挡层对CaCu3Ti4O12薄膜介电性能的影响
机译:ACu_3Ti_4O_(12)型钙钛矿的介电性能
机译:了解电容器应用的多层聚合物膜的损失机制和增强介电性能
机译:BaTiO3填料的粒径对电容器储能应用BaTiO3 /聚合物/ Al薄膜的制备和介电性能的影响
机译:新一代集成电容器:材料对薄膜电容器介电性能的影响
机译:试剂选择对铁电氧化物Ba(mTa)0.05Ti0.9O3(m = sc,Er,Ho或Y)介电性能影响的研究;总结如何。 2007年4月至7月
机译:形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有b的电容器的方法。助教。具有非晶扩散阻挡层的su2 O.sub.5介电层
机译:形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有Ta 2 O 5的电容器的方法。 2 O.sub.5介电层和非晶扩散阻挡层
机译:室温下生长的Mg2Hf5O12介电膜,组成Mg2Hf5O12介电膜的电容器和晶体管及其制造方法
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