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Si(111)表面在NH_3气氛下形成Si_3N_4薄膜的STM研究

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利用扫描隧道显微镜(STM)对Si(111)在氨气气氛下进行氮化所获得的氮化硅薄膜形貌和表面结构进行了系统分析,结果表明在1075—1275K的温度下对Si(111)进行氮化可以获得较平整的晶态βSi3N4薄膜,并在氮化膜表面观察到了Si3N4(0001)表面的(4×4)再构.

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来源
《物理学报》 |2000年第2期|215-219|共5页
作者
翟光杰; 杨建树; 陈显邦; 王学森;
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作者单位

香港科技大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
硅; 表面; 氨气; 氮化硅薄膜; STM;

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